信息存儲應用技術
  • 一種SSD的異常掉電測試方法、裝置、介質及設備與流程
    本發明涉及測試,特別涉及一種SSD的異常掉電測試方法、裝置、介質及設備。異常掉電通常是SSD(SolidStateDisk,固態硬盤)在工作過程中的一個重要應用場景。當SSD發生異常掉電時,往往會丟失大量的數據,會直接給企業帶來極大的經濟損失。在現有技術當中,當SSD發生異常掉...
  • SRAM存儲單元單粒子翻轉的測試電路、測試系統及方法與流程
    本發明涉及存儲器的設計及測試領域,特別是涉及一種SRAM存儲單元單粒子翻轉的測試電路、測試系統及方法。靜態隨機存儲器(SRAM)由于其讀寫速度快、功耗低、高集成度等優點而被廣泛使用。作為飛船、衛星中必不可少的存儲器之一,在數據存儲方面發揮著巨大的作用。對于需要執行航天任務的衛星而言,在外層...
  • 一種上電測試時對Vcc的檢測方法及裝置與流程
    本發明涉及存儲電路的上電測試領域,特別是一種上電測試時對Vcc的檢測方法及裝置。在存儲領域中,上電檢測是存儲芯片出廠前測試的必經步驟,關系到存儲芯片的工作穩定性,通常情況下制造商都會在存儲芯片中設置上電檢測電路,在上電檢測電路中設置檢測點,用來對Vcc、Vpp或電平信號等;由于存儲芯片中電...
  • 用于經由代表性I/O發生器測試儲存設備的方法和系統與流程
    本申請要求2017年9月15日提交的美國臨時專利申請第62/559,447號、以及2017年12月22日提交的美國專利申請第15/853,419號的優先權和權益,其內容通過引用整體并入本文。本公開的一些實施例一般涉及生成I/O以用于儲存系統基準測試。隨著SSD(solid-stat...
  • 半導體存儲裝置的制作方法
    本申請享有以日本專利申請2017-176626號(申請日:2017年9月14日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。實施方式涉及一種半導體存儲裝置。已知有作為半導體存儲裝置的NAND(NotAnd,與非)型閃速存儲器。發明內容實施方式提供一種能夠...
  • 編程非易失性存儲器的方法及存儲器系統與流程
    本發明是有關于一種非易失性存儲器,且特別是有關于一種編程非易失性存儲器的方法及存儲器系統。近年來,非易失性存儲器廣泛的使用于各種電子設備,例如個人計算機、筆記本電腦、智能型手機、平板計算機等。非易失性存儲器包括了一存儲單元數組。非易失性存儲器的體積越來越小,而更多的位被存儲在一個存儲單元中...
  • 半導體存儲裝置的制作方法
    本申請案享有以日本專利申請案2017-176686號(申請日:2017年9月14日)為基礎申請案的優先權。本申請案通過參照該基礎申請案而包含基礎申請案的所有內容。實施方式涉及一種半導體存儲裝置。已知有作為半導體存儲裝置的NAND型閃速存儲器。發明內容實施方式提供一種能夠縮短數據讀出...
  • 半導體存儲裝置的制作方法
    本申請案享有以日本專利申請案2017-176641號(申請日:2017年9月14日)為基礎申請案的優先權。本申請案通過參照該基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。實施方式涉及一種半導體存儲裝置。已知有將存儲單元三維地積層而得的NAND(NotAND,與非)型閃存。發明內容實施方式...
  • 解碼方法、存儲器存儲裝置及存儲器控制電路單元與流程
    本發明涉及一種解碼方法、存儲器存儲裝置及存儲器控制電路單元。數碼相機、移動電話與MP3播放器在這幾年來的成長十分迅速,使得消費者對存儲媒體的需求也急速增加。由于可復寫式非易失性存儲器模塊(rewritablenon-volatilememorymodule)(例如,快閃存儲器)具有數...
  • 應用于數字識別的憶阻器讀寫電路的制作方法
    本發明屬于數字識別,特別是涉及一種應用于數字識別的憶阻器讀寫電路。隨著人工智能產業的發展,圖像識別算法的應用越來越廣泛。大部分開發者會選擇成熟的SDK套件,借助CPU、GPU運行機器學習算法從而實現圖像識別功能。然而在終端設備領域,雖然CPU與GPU擁有優越的數據處理能力,但由于成...
  • 電阻式存儲器裝置的制作方法
    本申請主張在2017年9月15日在韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請第10-2017-0118844號以及在2018年2月20日在韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請第10-2018-0020007號的權利,所述韓國專利申請的公開內容全文并入本申請供參考。本發明概念涉及一種電阻式存儲器裝...
  • 電阻式存儲器元件的操作方法與流程
    本發明涉及一種存儲器元件的操作方法,尤其涉及一種電阻式存儲器元件的操作方法。近年來電阻式存儲器(諸如電阻式隨機存取存儲器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM))的發展極為快速,是目前最受矚目的未來存儲器的結構。由于電阻式存儲器具備低功耗、高速運作、高密度...
  • 阻變存儲器的操作方法及其操作裝置、芯片以及芯片認證方法與流程
    本公開的實施例涉及一種阻變存儲器的操作方法及其操作裝置、芯片以及芯片認證方法。隨著信息技術的高速發展,硬件安全面臨著多方面的威脅(例如硬件特洛伊、知識產權剽竊、集成電路逆向工程、側信道攻擊等)。在眾多的解決方案中,物理不可克隆函數(PhysicallyUnclonableFunctio...
  • 用于喚醒SRAM存儲陣列的電路及SRAM的制作方法
    本發明涉及靜態隨機存取存儲器(SRAM),尤其涉及一種用于喚醒SRAM存儲陣列的電路及SRAM。SRAM(StaticRandomAccessMemory,靜態隨機存取存儲器)通常用于速度和低功率為考慮因素的應用中。SRAM包括存儲單元陣列及行和列電路,其中存儲單元陣列中的每...
  • 解決應力電壓的存儲器裝置的制作方法
    本發明涉及一種解決應力電壓的存儲器裝置,特別是涉及一種解決負位線(NegativeBit-line;NBL)技術的應力電壓(StressVoltage)問題的存儲器裝置。隨著半導體制程的技術日益進步,存儲器電路的電源電壓也越來越低,特別是在最不利的制程角落(worstcorner)下...
  • 包含參考單元的電阻式存儲器裝置及控制參考單元的方法與流程
    本專利申請要求在韓國知識產權局于2017年9月15日提交的韓國專利申請第10-2017-0118843號以及于2018年2月20日提交的韓國專利申請第10-2018-0020006號的優先權,所述韓國專利申請的全部公開內容以引用方式并入本文中。本發明概念涉及一種電阻式存儲器裝置,且更具體地...
  • 半導體存儲裝置的制作方法
    本申請享有以日本專利申請2017-177464號(申請日期:2017年9月15日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。實施方式涉及一種半導體存儲裝置。MRAM(MagneticRandomAccessMemory,磁性隨機存取存儲器)是使用具...
  • 使用非線性濾波方案的存儲器系統及其讀取方法與流程
    相關申請的交叉引用要求于2016年1月12日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請號10-2016-0003636的優先權,其全部內容通過引用的方式并入本文。本公開涉及一種半導體存儲器件,并且特別地,涉及一種能夠以非線性濾波方案確定非易失性存儲器件的讀電平的存儲器系統及其讀取方法。半...
  • 一種計算機用軟件光盤存放裝置的制作方法
    本發明涉及光盤存放,特別涉及一種計算機用軟件光盤存放裝置。傳統計算機用軟件光盤存放裝置僅具有單一的存放功能,不能對存放的光盤進行統一清灰功能,使得光盤使用時因表面粘附的灰塵對光盤的讀寫面造成劃傷,降低光盤的使用壽命,為此,我們提出一種計算機用軟件光盤存放裝置。發明內容本發明的主要目...
  • 存儲裝置以及記錄介質的控制方法與流程
    本發明的實施方式涉及存儲裝置以及記錄介質的控制方法。作為計算機裝置、錄像機等電子設備中的存儲裝置,大多使用磁盤裝置。磁盤裝置具有對信息進行磁記錄的圓盤狀的磁盤、對磁盤進行數據的寫入和讀出的磁頭、以及控制電路等。在磁盤上呈同心圓狀地設置有多個磁道,各磁道被劃分成多個扇區。磁頭伴隨磁盤...
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